电介质

数以千计的介电膜用于光学,半导体和其他数十个行业和电影摄影。®几乎可以测量所有这些仪器的库存仪器。这是一些最常见的介电:

SIO2 - 二氧化硅是最简单的测量材料之一,主要是因为它在大多数波长上是不吸收(k = 0)的,通常非常接近化学计量学(即Si:O比率非常接近1:O的恰好接近1:2)。热生长的SiO2特别良好,通常用于厚度和折射率标准。电影摄影具有可以从3nm到1mm厚的SIO2的系统。

SI3N4 - 氮化硅膜的测量比许多其他介电的测量更具挑战性,因为膜的Si:N比很少完全3:4,因此通常必须与膜厚度一起测量折射率。欧宝娱乐在线平台为了使事情复杂化,氧气通常无意间掺入膜中,从而在某种程度上产生氧气。幸运的是,我们的系统可以在几秒钟内完全表征您的SI3N4胶片,只需单击一个鼠标!

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电影摄影提供免费试用测量- 结果通常在1-2天内获得

厚度测量示例

氮化硅膜被广泛用于半导体工业中,用作介电,钝化层或掩模材料。在此示例中,我们成功地测量了使用F20-UVX仪器在Si上薄膜的厚度,折射率和灭绝系数。一个有趣的说明是,六个胶片的光学特性与膜的化学计量相关。通过使用我们的F20-UVX以及电影摄影的专有氮化硅色散模型,无论它们是富含Si-rich,si-Poor还是Stoichiiemetric,都可以轻松测量Sixny膜的厚度和光学性质。

测量设置

带有RP-1-UV探针的F20-UVX